參數(shù)資料
型號： NDS351AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.2A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.2A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
中文描述： 1400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： NDS351AN
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
30
V
Zero Gate Voltage Drain Current
1
μA
T
J
=125°C
10
μA
I
GSSF
I
GSSR
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
Gate - Body Leakage, Forward
V
GS
= 20 V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
100
nA
Gate - Body Leakage, Reverse
-100
nA
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
0.8
1.7
2
V
T
J
=125°C
0.5
1.3
1.5
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 1.2 A
0.19
0.25
T
J
=125°C
0.28
0.37
V
GS
= 10 V, I
D
= 1.4 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V, I
D
= 1.2 A,
0.125
0.16
I
D(ON)
g
FS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
On-State Drain Current
3.5
A
Forward Transconductance
1.8
S
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 2)
Input Capacitance
V
= 10 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
125
pF
Output Capacitance
100
pF
Reverse Transfer Capacitance
90
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn - On Delay Time
V
DD
= 10 V, I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V, R
GEN
= 50
6
15
ns
Turn - On Rise Time
15
30
ns
Turn - Off Delay Time
14
30
ns
Turn - Off Fall Time
18
40
ns
Total Gate Charge
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.2 A,
V
GS
= 4.5 V
1.9
2.7
nC
Gate-Source Charge
0.5
nC
Gate-Drain Charge
0.9
nC
NDS351AN Rev. C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS351N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
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