參數(shù)資料
型號： NDS351AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.2A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.2A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
中文描述： 1400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： NDS351AN
NDS351AN Rev. C
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = 5.0V
125°C
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
.
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
S
2
1b
1a
4.5"x5" FR-4 Board
T = 25 C
Still Air
A
Figue 15. SuperSOT
TM _
3 Maximum Steady-State
Power Dissipation versus
Copper Mounting Pad Area.
0.1
0.2
0.5
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
10
20
I
D
DC
1s
10s
10ms
100ms
1ms
RDS(ON) LIMIT
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R =See Note1b
T = 25°C
JA
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.8
1
1.2
1.4
1.6
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in )
I
2
1b
1a
D
4.5"x5" FR-4 Board
T = 25 C
Still Air
V = 4.5V
A
o
Figure 16. Maximum Steady-State Drain
Current versus Copper Mounting Pad Area
.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1b
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Figure 17. Transient Thermal Response Curve.
Note : Characterization performed using the conditions described in note 1b. Transient thermal response will
change depending on the circuit board design.
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PDF描述
NDS351N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
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