參數(shù)資料
型號(hào)： NDS335
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： NDS335
NDS335 Rev.C
Figure 1. On-Region Characteristics
.
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
2.5
1.5
V =4.5V
GS
3.0
2.0
2.7
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
0
1
2
3
4
5
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
I , DRAIN CURRENT (A)
D
J
25°C
V = 2.7 V
-55°C
R
D
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V = 2.7V
I = 1.7A
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
5
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
Figure 5. Transfer Characteristics
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
I = 250μA
V = V
V
t
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
0
1
2
3
4
5
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
R
D
3.5
4.5
2.7
3.0
2.5
Typical Electrical Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS335N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS336P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.2A，-20V，0.27Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-1.2A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.27Ω）)
NDS336 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS351AN N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.2A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.2A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.25Ω）)
NDS351N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.25Ω）)
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參數(shù)描述
NDS335N 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS335N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
NDS335N_D87Z 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS335N_Q 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS336 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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