參數(shù)資料
型號： NDH833N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 7100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 221K
代理商： NDH833N
NDH833N Rev. C
0
5
10
15
20
25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
R
D
3.5
2.7
3.0
2.5
4.5
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 4.5V
I = 7.1A
R
D
0
5
10
15
20
25
0
0.5
1
1.5
2
ID
D
TJ
25°C
V = 4.5 V
-55°C
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
5
10
15
20
25
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
G
I = 250μA
D
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
0
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.5
2
0
5
10
15
20
25
I
D
2.7
V =4.5V
2.5
3.5
2.0
1.5
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PDF描述
NDH834P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5.6A，-20V，0.035Ω）(P溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-5.6A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
NDH8436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8447 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8502P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.2A，-30V，0.11Ω）(雙P溝道增強型場效應(yīng)管（漏電流-2.2A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.11Ω）)
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參數(shù)描述
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NDH8447 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
NDH8502P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8503N 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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