參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8303N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 3800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： NDH8303N
NDH8303N Rev.C
Typical Electrical and Thermal Characteristics
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
0
4
8
12
16
20
0
5
10
15
20
25
30
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
F
V = 5V
125°C
25°C
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note1. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDS(ON) LIMIT
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = See Note 1c
T = 25°C
10s
DC
100ms
1s
100us
1ms
10ms
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.01
0.1
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
P(pk)
1
t
1
t
2
r
0.02
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1
T - T = P * R (t)
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