參數(shù)資料
型號： NDH8303N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 3800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 72K
代理商： NDH8303N
NDH8303N Rev.C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
4
8
12
16
20
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
1.5
2.0
2.7
2.5
3.0
V = 4.5V
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
R
D
V = 4.5V
I = 3.8A
0
4
8
12
16
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
R
D
4.5
3.5
2.5
3.0
2.7
4.0
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4.5 V
J
25°C
-55°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
3
6
9
12
15
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5V
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
V
t
I = 250μA
V = V
GS
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PDF描述
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