參數(shù)資料
型號(hào)： NDH8303N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導(dǎo)通電阻0.035Ω）)
中文描述： 3800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： NDH8303N
NDH8303N Rev.C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
B
D
I = 250μA
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
15
I
S
TJ
25°C
-55°C
V =0V
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 3.8A
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
1
3
5
10
20
100
200
300
500
1000
1500
2000
2500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
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