參數(shù)資料
型號： NDH8301N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3A，20V，0.06Ω）(雙N溝道增強型場效應管（漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω）)
中文描述： 3000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： NDH8301N
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料
PDF描述
NDH8303N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.035Ω）)
NDH8304 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8304P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-20V，0.07Ω）(雙P溝道增強型場效應管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.07Ω）)
NDH831N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.8A，20V，0.03Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流5.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.03Ω）)
NDH8320C Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強型場效應管(N溝道：漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω；P溝道：漏電流-2A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.13Ω）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDH8302P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8303N 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8304 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8304P 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8304P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8
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