參數(shù)資料
型號： NDH8301N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3A，20V，0.06Ω）(雙N溝道增強型場效應管（漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω）)
中文描述： 3000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 211K
代理商： NDH8301N
NDH8301N Rev.E
Typical Electrical and Thermal Characteristics
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
F
V = 5V
125°C
25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.001
0.01
0.1
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Notes 1
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
40
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDS(ON) LIMIT
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = See Note 1
T = 25°C
100ms
1s
100us
1ms
DC
10ms
10s
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDH8303N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（3.8A，20V，0.035Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流3.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.035Ω）)
NDH8304 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8304P Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-2.7A，-20V，0.07Ω）(雙P溝道增強型場效應管（漏電流-2.7A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.07Ω）)
NDH831N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（5.8A，20V，0.03Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流5.8A, 漏源電壓20V，導通電阻0.03Ω）)
NDH8320C Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(雙N溝道和P溝道增強型場效應管(N溝道：漏電流3A, 漏源電壓20V，導通電阻0.06Ω；P溝道：漏電流-2A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.13Ω）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDH8302P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8303N 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8304 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDH8304P 功能描述:MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDH8304P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8
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