參數(shù)資料
型號： NDB6030PL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
中文描述： 30 A, 30 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： NDB6030PL
NDP6030PL Rev.B1
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -6V
-12V
-24V
I = -30A
0.1
0.3
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
150
300
500
1000
2000
3000
5000
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8.Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1
2
5
10
20
30
50
1
2
5
10
30
50
100
150
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDS(ON) LIMIT
DC
10ms
1ms
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R = 2.0 °C/W
T = 25°C
10μs
100μs
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0
0.01
0.1
SINGLE PULSE TIME (mS)
1
10
100
1,000
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
P
SINGLE PULSE
R =2° C/W
T = 25°C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.0 °C/W
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（36A，80V，0.042Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流36A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB603AL 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6050 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6050L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6051 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6051L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*