參數(shù)資料
型號： NDB6030PL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
中文描述： 30 A, 30 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： NDB6030PL
NDP6030PL Rev.B1
Typical Electrical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
-5.0
V = -10V
D
-4.0
-3.0
-7.0
-3.5
-6.0
-4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = -4.5V
I = -15A
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5V
A
125°C
25°C
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
0
10
20
-I , DRAIN CURRENT (A)
30
40
50
60
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -3.5 V
R
D
-6.0
-4.5
-7.0
-10
-5.0
-4.0
-5.5
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
0.2
0.4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.01
0.1
1
10
60
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
2
4
6
8
10
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
-V ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -15A
T = 25°C
125 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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