參數(shù)資料
型號： NDB6020P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-24A,-20V，0.05Ω）(P溝道增強型MOS場效應管（漏電流-24A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.05Ω）)
中文描述： 24 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NDB6020P
NDP6020P Rev.C1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V =-4.5V
I = -12A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
G
I = -250μA
V = V
GS
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.5 V
GS
R
D
-3.5
-3.0
-4.5
-4.0
-5.0
-2.7
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
GS
J
25°C
-55°C
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -5V
D
TJ
125°C
25°C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
.
-5
-4
-3
-2
-1
0
-50
-40
-30
-20
-10
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = -5.0V
GS
D
-3.0
-3.5
-2.5
-4.5
-4.0
-2.0
-2.7
相關PDF資料
PDF描述
NDP6020P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6020 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（35A,20V，0.023Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流35A, 漏源電壓20V，導通電阻0.023Ω）)
NDP6020 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（52A,30V，0.00135Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流52A, 漏源電壓30V，導通電阻0.0135Ω）)
NDB6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-30A,-30V，0.042Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流-30A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.042Ω）)
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參數(shù)描述
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