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參數(shù)資料
| 型號： | NAND04GW3C2AN6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 46/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 374K |
| 代理商： | NAND04GW3C2AN6E |
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12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
46/51
12.1
Ready/busy signal electrical characteristics
Figure 25
,
Figure 26
and
Figure 27
show the electrical characteristics for the Ready/Busy
signal. The value required for the resistor R
P
can be calculated using the following equation:
So,
where I
L
is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is determined by the maximum value of t
r
.
Figure 25.
Ready/Busy AC Waveform
Figure 26.
Ready/Busy Load Circuit
RPmin
VOLmax
–
(
------------------------------+
)
=
RPmin 1.8V
)
3mA
IL
-------------+
=
RPmin 3V
)
8mA
IL
-------------+
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
Open Drain Output
DEVICE
ibusy
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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