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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND04GW3C2AN6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4Gbit, 2112 Byte Page, 3V, Multi-level NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 4Gbit的，2112字節(jié)的頁，3V供電，多級(jí)NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 40/51頁 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | NAND04GW3C2AN6E |
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12 DC and AC parameters
NAND04GA3C2A, NAND04GW3C2A
40/51
Figure 15.
Data Input Latch AC Waveforms
1.
Last Data In is 2111b.
Figure 16.
Sequential Data Output after Read AC Waveforms
1.
CL = Low, AL = Low, W = High.
tWHCLH
(CL Hold time)
CL
E
AL
W
I/O
(ALSetup time)
tWLWL
tWLWH
tWHEH
(E Hold time)
tWLWH
tWLWH
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
ai12707
(Data Setup time)
(Data Hold time)
E
ai08031
R
I/O
RB
(Read Cycle time)
tRLQV
(R Accesstime)
tRHRL
(R High Holdtime)
tRLQV
Data Out
Data Out
Data Out
tRHQZ
tBHRL
tRLQV
tRHQZ
tEHQZ
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NAND08GAH0FZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND08GAH0JZC5E | 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND08GR3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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