參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F400TTC-12
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 256K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 22/44頁
文件大?。?/td> 710K
代理商： MX29F400TTC-12
22
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
SWITCHING TEST CIRCUITS
SWITCHING TEST WAVEFORMS
COMMAND WRITE TIMING WAVEFORM
Addresses
CE
OE
WE
DIN
tDS
tAH
Data
tDH
tCS
tCH
tCWC
tCEPH1
tCEP
tOES
tAS
VCC
5V
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
ADD Valid
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
1.2K ohm
1.6K ohm
+5V
CL=100pF Including jig capacitance,
CL=50pF for MX29F400T/B-55
2.0V
2.0V
0.8V
0.8V
TEST POINTS
2.4V
0.45V
AC TESTING: Inputs are driven at 2.4V for a logic "1" and 0.45V for a logic "0".
Input pulse rise and fall time are < 20ns.(5ns for MX29F400T/B-55)
Note:VIH/VIL=3.0V/0V, VOH/VOL=1.5V/1.5V, for MX29F400T/B-55.
OUTPUT
INPUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29F400TTC-55 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F400TTC-70 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F400TTC-90 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TMI-12 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800T 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX29F400TTC-55 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F400TTC-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F400TTC-90 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800B 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800BMC-12 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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