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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F400TTC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 14/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 710K |
| 代理商： | MX29F400TTC-12 |
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14
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
RESET
CE
WE
RY/BY
tVIDR
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
12V
0 or 5V
0 or 5V
tRSP
TEMPORARY SECTOR UNPROTECT
Parameter Std.
Description
Test Setup
AllSpeed Options Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
Note:
Not 100% tested
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F400TTC-55 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F400TTC-70 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F400TTC-90 | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TMI-12 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800T | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F400TTC-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F400TTC-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F400TTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800B | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800BMC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
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