參數(shù)資料
型號： MX29F400TTC-12
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 256K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 18/44頁
文件大?。?/td> 710K
代理商： MX29F400TTC-12
18
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
AC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, -40
o
C to 125
o
C, VCC = 5V
±
10%
29F400T/B-55
(Note2)
29F400T/B-70
MIN.
MAX.
55
55
15
0
20
0
SYMBOL
tACC
tCE
tOE
tDF
tOH
PARAMETER
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
OE High to Output Float (Note1)
Address to Output hold
MIN.
MAX.
70
70
40
30
UNIT Conditions
ns
CE=OE=VIL
ns
OE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=OE=VIL
0
0
NOTE:
1. tDF is defined as the time at which the output achieves
the open circuit condition and data is no longer driven.
2.VCC=5V
±
10%,CL=50pF,VIH/VIL=3.0V/0V,
VOH/VOL=1.5V/1.5V, IOL=2mA,IOH=-2mA.
3. Automotive grade is only provided for MX29F400T/B-
90 & MX29F400T/B-12
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V
Input rise and fall times is equal to or less than 10ns
Output load: 1 TTL gate + 100pF (Including scope and
jig)
Reference levels for measuring timing: 0.8V, 2.0V
29F400T/B-90 (Note3) 29F400T/B-12(Note3)
MIN.
MAX.
90
90
40
30
0
SYMBOL
tACC
tCE
tOE
tDF
tOH
PARAMETER
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
OE High to Output Float (Note1) 0
Address to Output hold
MIN.
MAX.
120
120
50
30
UNIT Conditions
ns
CE=OE=VIL
ns
OE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=OE=VIL
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29F400TTC-55 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F400TTC-70 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F400TTC-90 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800TMI-12 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
MX29F800T 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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