參數(shù)資料
型號(hào)： MW6S010GMR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265A-02, TO-270, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/20頁
文件大?。?/td> 657K
代理商： MW6S010GMR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S010MR1 MW6S010GMR1
Figure 15. MW6S010MR1(GMR1) Test Circuit Component Layout — 450 MHz
MW6S010N 450 MHz
C5
C10
C6
C7
C8
C9
R6
C4
C2
C3
B1
R5
C1
R2
R1
R3
R4
T1
T2
B2
C14
C13
C15
L1
C12
C11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MW7IC2425NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MW7IC2425NR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MW7IC2425GNR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MX10F202FC 8-BIT, OTPROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW6S010GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET
MW6S010MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MW6S010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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