參數(shù)資料
型號(hào)： MW6S004NT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD 1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 498K
代理商： MW6S004NT1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S004NT1
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR
(dB)
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
20
40
30
40
20
50
10
60
0.01
1
10
Gps
ACPR
Figure 8. Single-Carrier CDMA ACPR, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
10
14
20
0.01
0
60
TC = 30_C
25
_C
30
_C
1
19
18
17
16
40
30
20
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 9. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain versus Output Power
IDQ = 50 mA
f = 1960 MHz
VDD = 24 V
7
15
19
06
17
16
18
23
4
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
12
22
1800
25
0
S21
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 11. Broadband Frequency Response
S11
20
5
18
16
10
15
14
20
2100
2050
2000
1950
1900
1850
VDD = 28 Vdc
Pout = 2 W CW
IDQ = 50 mA
S1
1
(dB
)
S21
(dB)
85
_C
85
_C
8
5
1
VDD = 28 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1960 MHz
28 V
32 V
ηD
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
0.1
VDD = 28 Vdc, IDQ = 50 mA
f = 1960 MHz, NCDMA IS95 (Pilot, Sync,
Paging, Traffic Codes 8 Through 13)
15
0.1
50
ηD
18.5
17.5
16.5
15.5
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PDF描述
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