參數(shù)資料
型號： MTB75N05HD
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 75 AMPERES 50 VOLTS
中文描述： 75 A, 50 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 254K
代理商： MTB75N05HD
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
P
R
JA = 50
°
C/W
Board material = 0.065 mil FR–4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size
≈
450 mils x 350 mils
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 418B–02
ISSUE B
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SEATING
B
S
G
D
0.13 (0.005)
–T–
M
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
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PDF描述
MTB75N06HD TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS
MTB75N06 TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS
MTB9N25E TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS
MTD2955V TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM
MTD2955V P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
MTB75N05HDT4 功能描述:MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTB75N06 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS
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MTB7671 制造商:Megger 功能描述:METER TEST BOX
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