參數(shù)資料
型號： MTB50N06V
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS
中文描述： 42 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 289K
代理商： MTB50N06V
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
R
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
100
80
60
40
20
0
0.8
0
9
7
5
3
1
VDS
≥
10 V
TJ = –55
°
C
100
°
C
25
°
C
VGS = 10 V
0.04
20
0
0.034
0.01
40
60
80
100
TJ = 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C
0.033
0.021
0
VGS = 10 V
15 V
VGS = 10 V
ID = 21 A
2
1.5
1
0.5
0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
1000
1
0
10
20
30
40
50
60
1.6
2.4
3.2
4
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
0.028
0.022
0.016
0.03
0.027
0.024
20
40
60
80
100
100
10
100
°
C
25
°
C
175
2.5
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