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參數(shù)資料
| 型號： | MT9LD272AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs(2M x 72無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 2Meg × 72 Nonbuffered內(nèi)存插槽（200萬× 72無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 4/30頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | MT9LD272AG |
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2, 4 Meg x 72 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM60.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
4
2, 4 MEG x 72
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
MT9LD272A(X) (16MB)
A0-A10
OE2#
WE2#
CAS4#
RAS2#
CAS5#
CAS7#
CAS6#
U1-U9 = MT4LC2M8B1 FAST PAGE MODE
U1-U9 = MT4LC2M8E7 EDO PAGE MODE
OE0#
WE0#
CAS0#
RAS0#
CAS1#
CAS3#
CAS2#
11
11
11
11
11
11
11
11
11
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
CB0-CB7
DQ16-DQ23
DQ32-DQ39
DQ40-DQ41
DQ48-DQ55
DQ56-DQ63
DQ24-DQ31
U1
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U2
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U3
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U4
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U6
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U7
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U8
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U9
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
DQ0-DQ7
U5
A0–A10
WE#
OE#
RAS#
CAS#
SPD
SCL
SDA
SA0 SA1 SA2
A0
A1
A2
V
DD
V
SS
U1-U9
U1-U9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT9LD272 | 2Meg x 72 Buffered DRAM DIMMs(2M x 72緩沖動態(tài)RAM模塊（雙列直插存儲器模塊）) |
| MT9VDDT1672A | DDR SDRAM DIMM |
| MT9VDDT3272A | DDR SDRAM DIMM |
| MTB2P50E | Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts(2A, 500V功率MOSFET) |
| MTB50P03HDL | Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level(50A, 30V, D2PAK, P溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT9LD272AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT9LD272AG-6X | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:2, 4 MEG x 72 NONBUFFERED DRAM DIMMs |
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