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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT54V512H18E |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 為512k × 18同步流水線突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（9Mb以上，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 4/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | MT54V512H18E |
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512K x 18 2.5V V
DD
, HSTL, QDRb4 SRAM
MT54V512H18E.p65 – Rev. 3/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
512K x 18
2.5V V
DD
, HSTL, QDRb4 SRAM
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PIN ASSIGNMENT (Top View )
165-Pin FBGA
*Expansion addresses: 9A for 18Mb, 3A for 36Mb, 10A for 72Mb, 2A for 144Mb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L256L32F | 8Mb: 256K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L256L36F | 8Mb: 256K x 36，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT54V512H18E1F-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT54V512H18EF-10 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT54V512H18EF-6 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:DS2KX18 SRAM PLASTIC FBGA 2.5V 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MT54V512H18EF-6C | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MT54V512H36EF-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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