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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT54V512H18A |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 為512k × 18同步流水線突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（9Mb以上，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/22頁(yè) |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | MT54V512H18A |
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7
512K x 18 2.5V V
DD
, HSTL, QDRb2 SRAM
MT54V512H18A.p65 – Rev. 3/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
512K x 18
2.5V V
DD
, HSTL, QDRb2 SRAM
2A, 10A, 4C,
8C, 4D-8D,
5E-7E, 6F,
6G, 6H, 6J,
6K, 5L-7L,
4M-8M, 4N,
8N
3A, 7A, 9A,
1B, 5B, 9B,
10B, 1C, 2C,
9C, 1D, 9D,
10D, 1E, 2E,
9E, 1F, 9F,
10F, 1G, 9G,
10G, 1H, 1J,
2J, 9J, 1K,
2K, 9K, 1L,
2K, 10L, 1M,
2M, 9M, 1N,
9N, 10N,
1P, 2P, 9P
V
SS
Supply
Power Supply: GND.
NC
–
No Connect: These signals are not internally connected and may be
connected to ground to improve package heat dissipation.
PIN DESCRIPTIONS (continued)
PINS (x18)
SYMBOL
TYPE
DESCRIPTION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L256L32F | 8Mb: 256K x 32，F(xiàn)low-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT54V512H18AF-10 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 3ns 165-Pin FBGA |
| MT54V512H18AF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Trays |
| MT54V512H18E1F-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT54V512H18EF-10 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT54V512H18EF-6 | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:DS2KX18 SRAM PLASTIC FBGA 2.5V 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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