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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個M × 64無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 7/31頁 |
| 文件大小： | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
7
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
SERIAL PRESENCE-DETECT MATRIX
BYTE
0
1
2
DESCRIPTION
ENTRY (VERSION)
128
256
FAST PAGE MODE
EDO PAGE MODE
10 (8MB)
11 (16MB, 32MB)
10 (8MB, 16MB)
11 (32MB)
1
x64
NONE
LVTTL
50ns
60ns
13ns
15ns
NONPARITY
15.625
μ
s/NORMAL
x16 (8MB)
x8 (16MB)
x4 (32MB)
NONE
BIT7
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
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x
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x
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x
x
x
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x
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x
0
0
0
0
0
x
x
x
–
BIT5
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1
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x
1
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x
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x
x
x
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x
x
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x
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x
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x
x
x
–
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x
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x
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x
x
x
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BIT0
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x
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1
1
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1
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x
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1
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0
x
x
x
–
HEX
80
08
01
02
0A
0B
0A
0B
01
40
00
01
32
3C
0D
0F
00
00
10
08
04
00
00
00
xx
2C
FF
01
02
03
04
xx
01
02
03
04
00
xx
xx
xx
–
NUMBER OF BYTES USED BY MICRON
TOTAL NUMBER OF SPD MEMORY BYTES
MEMORY TYPE
3
NUMBER OF ROW ADDRESSES
4
NUMBER OF COLUMN ADDRESSES
5
6
7
8
9
NUMBER OF BANKS
DATA WIDTH
DATA WIDTH (continued)
VOLTAGE INTERFACE
RAS# ACCESS TIME (
t
RAC)
10
CAS# ACCESS TIME (
t
CAC)
11
12
13
MODULE CONFIGURATION TYPE
REFRESH RATES
DRAM WIDTH (PRIMARY DRAM)
14
ERROR CHECKING DRAM DATA WIDTH
RESERVED
SPD REVISION
CHECKSUM FOR BYTES 0-62
MANUFACTURER’S JEDEC ID CODE
MANUFACTURER’S JEDEC CODE (CONT.)
MANUFACTURING LOCATION
15-61
62
63
64
65-71
72
REV. 0
MICRON
73-90
91
MODULE PART NUMBER (ASCII)
PCB IDENTIFICATION CODE
1
2
3
4
0
92
93
94
IDENTIFICATION CODE (CONT.)
YEAR OF MANUFACTURE IN BCD
WEEK OF MANUFACTURE IN BCD
MODULE SERIAL NUMBER
MANUFACTURE SPECIFIC DATA (RSVD)
95-98
99-125
NOTE:
1. “1”/“0”: Serial Data, “driven to HIGH”/“driven to LOW.”
2. x = Variable Data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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