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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個M × 64無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 17/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
17
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
READ CYCLE
27
tRRH
tCLZ
tCAC
tRAC
tAA
VALID DATA
OPEN
tOFF
tRCH
ROW
tRCS
tASC
tACH
tRAH
tRAD
tAR
tCAH
tRCD
tCAS
tRSH
tCSH
tRP
tRC
tRAS
tCRP
tASR
ROW
OPEN
RAS#
V
IL
V
IL
ADDR
V
IL
DQ
V
OL
V
IL
tOD
tOE
OE#
V
IL
COLUMN
CAS#
WE#
NOTE 1
DON’T CARE
UNDEFINED
NOTE:
1. For EDO,
t
OFF is referenced from rising edge of RAS# or CAS#, whichever occurs last. For FPM,
t
OFF is referenced from rising edge of RAS# or
CAS#, whichever occurs first.
-5*
-6
SYMBOL
t
OFF (EDO)
t
OFF (FPM)
t
RAC
t
RAD (EDO)
t
RAD (FPM)
t
RAH
t
RAS
t
RC (EDO)
t
RC (FPM)
t
RCD (EDO)
t
RCD (FPM)
t
RCH
t
RCS
t
RP
t
RRH
t
RSH
MIN
0
–
MAX
12
–
50
MIN
0
3
MAX
15
15
60
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
–
9
50
84
–
11
–
0
0
30
0
13
12
15
10
60
104
110
14
20
0
0
40
0
15
10,000
10,000
FAST PAGE MODE AND EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5*
-6
SYMBOL
t
AA
t
ACH (EDO)
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS (EDO)
t
CAS (FPM)
t
CLZ (EDO)
t
CLZ (FPM)
t
CRP
t
CSH (EDO)
t
CSH (FPM)
t
OD (EDO)
t
OD (FPM)
t
OE
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
38
0
0
15
45
0
0
13/15**
15
8
8
–
0
–
5
10
10
15
0
3
5
45
60
0
3
10,000
–
10,000
10,000
38
–
0
–
12
–
12
15
15
15
*EDO version only
**8MB DIMM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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