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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H8M36HU-33 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| 封裝： | FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 41/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 2659K |
| 代理商： | MT49H8M36HU-33 |
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PDF: 09005aef80a41b59/Source: 09005aef809f284b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
288Mb_RLDRAM_II_CIO.Core.fm - Rev B 5/08 EN
45
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
288Mb: x9, x18, x36 2.5V VEXT, 1.8V VDD, HSTL, CIO, RLDRAM II
Operations
Figure 21:
WRITE-to-READ
Notes:
1. DI an = data-in for bank a and address n.
2. DO bn = data-out from bank b and address n.
3. Two subsequent elements of each burst follow DI an and DO bn.
4. BL = 2.
5. Nominal conditions are assumed for specifications not defined.
COMMAND
NOP
READ
NOP
ADDRESS
Bank a,
Add n
NOP
CK
CK#
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6
T6n
T7
DQ
DM
DI
an
DO
bn
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
WL = 5
QVLD
DK#
DK
QK#
QK
NOP
Bank b,
Add n
WRITE
RL = 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MT4C2M8A1DJ-7STR | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| MT4LC1M16C5TG-8S | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO44 |
| MT4LC2M8A1DJ-6TR | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| MT52C9012DJ-25 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H8M36HU-33 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT49H8M36HU-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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