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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H8M36HU-33 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
| 封裝： | FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 40/76頁 |
| 文件大?。?/td> | 2659K |
| 代理商： | MT49H8M36HU-33 |
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PDF: 09005aef80a41b59/Source: 09005aef809f284b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
288Mb_RLDRAM_II_CIO.Core.fm - Rev B 5/08 EN
44
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
288Mb: x9, x18, x36 2.5V VEXT, 1.8V VDD, HSTL, CIO, RLDRAM II
Operations
Figure 20:
Consecutive WRITE-to-WRITE
Notes:
1. DI an (or bn) = data-in for bank a (or b) and address n.
2. Three subsequent elements of the burst are applied following DI for each bank.
3. BL = 4.
4. Each WRITE command may be to any bank; if the second WRITE is to the same bank,
tRC must be met.
5. Nominal conditions are assumed for specifications not defined.
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
WRITE
NOP
Bank a,
Add n
Bank b,
Add n
Bank a,
Add n
NOP
ADDRESS
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T6n
T5n
T7
T8
T9
T8n
T7n
DQ
DM
DI
bn
DI
an
DI
an
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
WL = 5
tRC = 4
WL = 5
DK
DK#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1024DJ-6L | 1M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| MT4C2M8A1DJ-7STR | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| MT4LC1M16C5TG-8S | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO44 |
| MT4LC2M8A1DJ-6TR | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| MT52C9012DJ-25 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H8M36HU-33 IT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT49H8M36HU-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT4A5 | 制造商:EDAL 制造商全稱:EDAL 功能描述:SILICON FAST RECOVERY 3.0 AMP DIODES |
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