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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H8M32FM |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 38/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32FM |
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38
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
CK
CMD
WB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WB0
NOP
NOP
DQS
DQ
D0b
D0a
D0b
D0a
CMD
RB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
RB0
NOP
NOP
DQS
DQ
Q0b
Q0a
CMD
RB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WB0
NOP
NOP
DQS
DQ
Q0b
Q0a
CMD
WB0
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
RB0
NOP
NOP
DQS
DQ
tCKDQS
RANDOM ACCESS, SINGLE BANK
(RL = 6, BL = 2, WL = 3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準(zhǔn)或低功率，擴(kuò)展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-5 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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