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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H8M32FM |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| 中文描述： | 低延遲DRAM延遲DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 26/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32FM |
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26
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
WRITE TIMING
(BL = 2, RL = 6)
NOTE:
1. DQS and DQS# are not relevant during WRITE cycles.
2. Starting with all banks closed, 8 banks cyclic access.
3. Write latency WL = RL - BL/2 - 2 = 3.
CK/CK#
CS#, AS#,
REF#, A[19:0],
BA[2:0], DM[1:0]
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tRC = 8 tCK
D0b
D0a
WB0
WB1
WB2
WB3
WB4
WB5
WB6
WB7
WB0
D1b
D1a
D2b
D2a
D3b
D3a
D4b
D4a
D5b
D5a
D6b
D6a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準或低功率，擴展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
| MT4C4256L | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(標(biāo)準或低功率，擴展刷新，256K x 4動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-4 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-5 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
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