參數(shù)資料
型號(hào)： MT49H32M9CFM-xx
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II)
中文描述： 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二）
文件頁(yè)數(shù)： 32/44頁(yè)
文件大小： 1117K
代理商： MT49H32M9CFM-XX
16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
32
Address Mapping
The address mapping is described in Table 10 as a
function of data width and burst length.
NOTE:
1. X means “Don’t Care.”
2. Reserved for A20 expansion in multiplexed mode.
3. Reserved for A21 expansion in multiplexed mode.
Table 10:
Note 1
Address Mapping in Multiplexed Address Mode
DATA
WIDTH
x18
BURST
LENGTH
BL = 2
BALL
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
Ax
Ay
ADDRESSES
A0
2
A0
X
A0
X
A0
X
A0
A20
A0
X
A0
X
A3
A3
A1
A3
A1
A3
A1
A3
A1
A3
A1
A3
A1
A4
A4
A2
A4
A2
A4
A2
A4
A2
A4
A2
A4
A2
A5
3
A5
X
A5
X
A5
X
A5
X
A5
X
A5
X
A8
A8
A6
A8
A6
A8
A6
A8
A6
A8
A6
A8
A6
A9
A9
A7
A9
A7
A9
A7
A9
A7
A9
A7
A9
A7
A10
A10
A19
A10
X
A10
X
A10
A19
A10
A19
A10
X
A13
A13
A11
A13
A11
A13
A11
A13
A11
A13
A11
A13
A11
A14
A14
A12
A14
A12
A14
A12
A14
A12
A14
A12
A14
A12
A17
A17
A16
A17
A16
A17
A16
A17
A16
A17
A16
A17
A16
A18
A18
A15
A18
A15
X
A15
A18
A15
A18
A15
A18
A15
BL = 4
BL = 8
x9
BL = 2
BL = 4
BL = 8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT4C1004J 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM)
MT4C4001STG-6 standard or self refresh
MT4C4001STG-7 standard or self refresh
MT4C4001STG-8 standard or self refresh
MT4C4001JDJ-6 standard or self refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT49H32M9CHU-25 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays
MT49H32M9CHU-33 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays
MT49H32M9CHU-5 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays
MT49H32M9FM-25 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
MT49H32M9FM-25 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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