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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT47H128M8HV-187ELIT:E |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 52/133頁 |
| 文件大?。?/td> | 9170K |
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Table 7: Thermal Impedance
Die Revision
Package Substrate
θ JA (°C/W)
Airflow = 0m/s
θ JA (°C/W)
Airflow = 1m/s
θ JA (°C/W)
Airflow = 2m/s
θ JB (°C/W) θ JC (°C/W)
E1
60-ball
2-layer
56.7
42.1
36.8
22.7
2.5
4-layer
40.2
32.8
29.9
22.1
84-ball
2-layer
52.9
41.3
35.7
21.6
2.5
4-layer
38.4
32
28.9
21.5
60-ball
2-layer
66.5
49.6
43.1
30.3
5.9
4-layer
49.2
40.4
36.4
30
84-ball
2-layer
60.2
44.5
39.3
26.1
5.6
4-layer
44
35.7
32.8
26.1
60-ball
2-layer
72.5
55.5
49.5
35.6
5.7
4-layer
54.5
45.7
42.3
35.2
84-ball
2-layer
68.8
52.0
46.5
32.5
5.6
4-layer
51.3
42.7
39.6
32.3
Note: 1. Thermal resistance data is based on a number of samples from multiple lots and should
be viewed as a typical number.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Electrical Specifications – Absolute Ratings
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
25
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2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-187ELAT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HV-25AT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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| MT47H128M8HV-25EIT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25EL | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HV-25IT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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