- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385639 > MT46V16M4 (Micron Technology, Inc.) 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4組，雙數據速率同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MT46V16M4 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(4 M x 4 x 4組，雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4梅格× 4 × 4銀行DDR SDRAM內存（四米× 4 × 4組，雙數據速率同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 27/69頁 |
| 文件大小： | 2369K |
| 代理商： | MT46V16M4 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁
27
64Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
64Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub. 10/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
Figure 15
WRITE Burst
DQS
NOTE:
1. DI
b
= data-in for column
b
.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed
order following DI
b
.
3. An uninterrupted burst of 4 is shown.
4. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
t
DQSS (MAX)
t
DQSS (NOM)
t
DQSS (MIN)
tDQSS
DM
DQ
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
b
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
DQS
tDQSS
DM
DQ
DQS
tDQSS
DM
DQ
DI
b
DI
b
DI
b
DON
’
T CARE
TRANSITIONING DATA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V4M16 | 1 Meg x 16 x 4 banks DDR SDRAM(1M x 16 x 4組，雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| MT46V8M8 | 2 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(2 M x 8 x 4組，雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| MT46V2M32LG | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V2M32V1 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V32M4-1 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT46V16M8 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。