參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6AT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： MRFG35002N6AT1
MRFG35002N6AT1
7
RF Device Data
Table 7. Common Source S-Parameters (VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, TA = 25°C, 50 Ohm System)
f
S11
S21
S12
S22
f
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
500
0.910
-175.1
5.223
82.8
0.036
0.0
0.703
-176.6
550
0.911
-176.9
4.775
80.9
0.036
-1.2
0.702
-177.9
600
0.911
-178.5
4.396
79.1
0.036
-2.3
0.701
-179.1
650
0.911
-179.9
4.078
77.4
0.037
-3.3
0.699
179.6
700
0.910
178.8
3.808
75.7
0.037
-4.4
0.698
178.5
750
0.910
177.7
3.574
74.0
0.037
-5.3
0.697
177.3
800
0.910
176.6
3.371
72.5
0.037
-6.2
0.696
176.1
850
0.910
175.7
3.191
70.9
0.037
-7.1
0.695
175.0
900
0.910
174.9
3.029
69.4
0.037
-7.8
0.694
173.8
950
0.910
174.2
2.883
67.9
0.037
-8.7
0.693
172.7
1000
0.909
173.4
2.748
66.3
0.037
-9.5
0.692
171.5
1050
0.910
172.7
2.632
65.0
0.037
-10.3
0.692
170.3
1100
0.910
172.1
2.520
63.5
0.038
-11.0
0.691
169.1
1150
0.909
171.4
2.421
62.0
0.038
-11.9
0.690
168.0
1200
0.910
170.8
2.329
60.6
0.038
-12.6
0.691
167.0
1250
0.909
170.1
2.246
59.2
0.038
-13.3
0.690
165.9
1300
169.5
2.168
57.8
0.038
-14.1
0.689
164.9
1350
0.907
168.8
2.097
56.4
0.038
-14.9
0.689
164.0
1400
0.907
168.1
2.030
54.9
0.038
-15.4
0.690
163.0
1450
0.907
167.2
1.968
53.5
0.038
-16.4
0.690
162.1
1500
0.906
166.3
1.911
52.0
0.038
-17.1
0.690
161.3
1550
0.904
163.0
1.874
50.4
0.039
-18.0
0.687
162.6
1600
0.903
162.2
1.823
49.0
0.039
-18.8
0.686
161.8
1650
0.903
161.3
1.775
47.6
0.039
-19.6
0.685
161.0
1700
0.903
160.5
1.729
46.2
0.039
-20.5
0.686
160.1
1750
0.902
159.8
1.686
44.7
0.039
-21.0
0.686
159.3
1800
0.902
158.9
1.645
43.3
0.039
-21.8
0.685
158.4
1850
0.901
158.1
1.607
41.9
0.039
-22.5
0.685
157.5
1900
0.901
157.4
1.570
40.5
0.039
-23.3
0.686
156.7
1950
0.902
156.6
1.535
39.1
0.039
-24.1
0.686
155.8
2000
0.901
155.9
1.502
37.7
0.039
-24.9
0.686
155.0
2050
0.901
155.1
1.470
36.3
0.039
-25.6
0.686
154.1
2100
0.901
154.3
1.441
34.9
0.040
-26.5
0.685
153.4
2150
0.906
153.3
1.415
33.5
0.040
-27.2
0.689
152.3
2200
0.900
152.8
1.388
32.0
0.040
-28.1
0.686
151.8
2250
0.900
151.9
1.364
30.6
0.040
-28.7
0.685
150.9
2300
0.899
151.0
1.342
29.2
0.040
-29.6
0.684
150.0
2350
0.898
150.2
1.321
27.7
0.040
-30.3
0.683
149.2
2400
0.899
149.3
1.302
26.2
0.040
-31.4
0.683
148.4
2450
0.897
148.4
1.284
24.8
0.041
-32.1
0.681
147.4
2500
0.896
147.4
1.268
23.3
0.041
-33.2
0.679
146.6
2550
0.896
146.5
1.254
21.8
0.041
-34.1
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145.7
2600
0.893
145.4
1.240
20.2
0.041
-34.8
0.675
144.8
2650
0.894
144.5
1.227
18.7
0.042
-35.6
0.674
143.9
2700
0.891
143.4
1.216
17.2
0.042
-36.7
0.672
142.9
2750
0.891
142.4
1.206
15.6
0.042
-37.4
0.669
142.0
(continued)
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MRFG35002N6T1 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35003ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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