參數(shù)資料
型號： MRFG35002N6AT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： MRFG35002N6AT1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6AT1
Table 7. Common Source S-Parameters (VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, TA = 25°C, 50 Ohm System) (continued)
f
S11
S21
S12
S22
f
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
2800
0.890
141.2
1.197
14.0
0.043
-38.6
0.667
141.1
2850
0.887
140.1
1.189
12.4
0.043
-39.5
0.663
140.2
2900
0.888
138.9
1.182
10.8
0.043
-40.4
0.661
139.2
2950
0.886
137.6
1.175
9.1
0.044
-41.4
0.658
138.2
3000
0.886
136.4
1.170
7.5
0.044
-42.4
0.656
137.2
3050
0.885
135.1
1.163
5.8
0.045
-43.5
0.652
136.3
3100
0.882
133.8
1.159
4.1
0.045
-44.5
0.649
135.2
3150
0.881
132.5
1.155
2.4
0.046
-45.5
0.645
134.2
3200
0.879
131.1
1.151
0.7
0.046
-46.8
0.642
133.1
3250
0.877
129.8
1.148
-1.0
0.047
-47.7
0.638
132.0
3300
0.876
128.4
1.145
-2.7
0.047
-48.9
0.634
130.9
3350
0.875
127.0
1.143
-4.5
0.048
-50.0
0.630
129.8
3400
0.874
125.6
1.141
-6.3
0.048
-51.3
0.627
128.7
3450
0.873
124.1
1.139
-8.0
0.049
-52.4
0.624
127.5
3500
0.870
122.6
1.137
-9.8
0.049
-53.8
0.620
126.4
3550
0.869
121.1
1.134
-11.6
0.050
-55.0
0.616
125.2
3600
0.867
119.7
1.133
-13.4
0.050
-56.2
0.612
124.0
3650
0.867
118.1
1.131
-15.2
0.051
-57.3
0.609
122.8
3700
0.865
116.6
1.130
-17.0
0.051
-58.4
0.605
121.5
3750
0.863
115.0
1.128
-18.8
0.052
-59.5
0.602
120.2
3800
0.861
113.5
1.127
-20.7
0.052
-60.9
0.598
118.9
3850
0.860
111.9
1.126
-22.5
0.053
-62.1
0.595
117.6
3900
0.858
110.3
1.125
-24.4
0.053
-63.4
0.591
116.2
3950
0.856
108.6
1.124
-26.3
0.054
-64.5
0.588
114.9
4000
0.854
107.0
1.122
-28.3
0.054
-65.7
0.585
113.4
4050
0.853
105.3
1.122
-30.2
0.055
-67.0
0.582
112.0
4100
0.851
103.5
1.122
-32.1
0.055
-68.1
0.579
110.5
4150
0.849
101.7
1.121
-34.2
0.056
-69.5
0.575
109.0
4200
0.847
99.8
1.120
-36.2
0.057
-70.9
0.572
107.4
4250
0.845
97.9
1.119
-38.3
0.057
-72.4
0.569
105.9
4300
0.842
96.0
1.119
-40.4
0.057
-73.8
0.566
104.2
4350
0.841
94.1
1.119
-42.6
0.058
-75.2
0.563
102.4
4400
0.838
92.0
1.118
-44.7
0.058
-76.6
0.559
100.7
4450
0.836
89.9
1.118
-47.0
0.059
-78.4
0.557
98.8
4500
0.836
87.7
1.118
-49.3
0.060
-80.0
0.553
96.8
4550
0.832
85.3
1.116
-51.7
0.060
-81.7
0.550
94.8
4600
0.828
83.3
1.114
-54.0
0.061
-83.3
0.547
92.7
4650
0.830
80.6
1.114
-56.4
0.061
-85.0
0.542
90.5
4700
0.826
78.3
1.114
-58.8
0.062
-86.6
0.539
88.3
4750
0.830
75.9
1.111
-61.3
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-88.6
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85.9
4800
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72.9
1.109
-64.0
0.063
-90.6
0.532
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4850
0.827
70.4
1.107
-66.6
0.063
-92.6
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67.5
1.104
-69.2
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-94.4
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4950
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0.064
-96.4
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75.8
5000
0.824
61.8
1.095
-74.6
0.064
-98.6
0.518
72.9
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PDF描述
MRFG35002N6T1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
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參數(shù)描述
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MRFG35002N6T1 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
MRFG35003ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
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