參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6AT1
廠(chǎng)商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： MRFG35002N6AT1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6AT1
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Frequency
20
30
40
10
15
20
25
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
10
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mW
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IRL
ACPR
35
5
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 7. Single-Channel OFDM Error Vector Magnitude
and Drain Efficiency versus Output Power
14
15
20
25
30
50
30
20
10
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
EVM,
ERROR
VECT
OR
MAGNITUDE
(dB) 10
EVM
40
3450
3500
3550
3600
3700
5
16
18
20
22
24
26
28
NOTE: Data is generated from the test circuit shown.
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier OFDM 802.16d, 64 QAM 3
/4
7 MHz Channel Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
3400
3650
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35002N6T1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
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參數(shù)描述
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