參數(shù)資料
型號(hào)： MRFG35002N6AT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 213K
代理商： MRFG35002N6AT1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6AT1
PRODUCT DOCUMENTATION
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Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Dec. 2007
Initial Release of Data Sheet
1
Dec. 2008
Removed ”O(jiān)perating Case Temperature Range” from Maximum Ratings table so that the maximum
channel temperature rating is the limiting thermal design criteria and not the case temperature range, p. 1
2
June 2009
Modified data sheet to reflect MSL rating change from 1 to 3 as a result of the standardization of packing
process as described in Product and Process Change Notification number, PCN13516, p. 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35002N6T1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005ANT1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010AR5 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35002N6R5 功能描述:TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35003ANT1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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