參數(shù)資料
型號： MRFG35002N6AT1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 213K
代理商： MRFG35002N6AT1
MRFG35002N6AT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
28
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
18
14
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
24
12
16
20
22
26
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
28
50
0
5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
18
14
20
30
40
10
15
20
25
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
24
10
16
20
22
26
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IRL
ACPR
2
14
24
36
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Frequency
3450
10
8
6
4
34
30
28
26
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
12
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mW
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
32
3500
3550
3600
3650
NOTE: Data is generated from the test circuit shown.
0
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PDF描述
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