參數(shù)資料
型號: MRF9030LR1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/12頁
文件大?。?/td> 549K
代理商: MRF9030LR1
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
100
8
20
1
60
60
G
ps
η
IMD
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Power Gain, Efficiency and IMD
versus Output Power
Gp
,
η
18
40
16
20
14
0
12
20
10
40
10
I
I
V
DD
= 26 Vdc
I
DQ
= 250 mA
f1 = 945 MHz, f2 = 945.1 MHz
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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Go to: www.freescale.com
n
.
相關PDF資料
PDF描述
MRF9030LSR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9060 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060S 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9030LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LSR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF9030MBR1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9030MR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs