參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9030LR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 549K
代理商： MRF9030LR1
3
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
G
ps
18
19
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
37
41.5
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
-32.5
-28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
—
-15.5
-9
dB
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
G
ps
—
19
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
—
41.5
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
—
-33
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
—
-14
—
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
P
1dB
—
30
—
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
G
ps
—
19
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
η
—
60
—
%
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 250 mA,
f = 945.0 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency
of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9030LSR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9060 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060S 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
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參數(shù)描述
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MRF9030LSR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF9030MBR1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9030MR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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