參數(shù)資料
型號： MRF9030LR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 549K
代理商： MRF9030LR1
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 100
μ
Adc)
V
GS(th)
2
2.9
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 250 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.8
—
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 0.7 Adc)
V
DS(on)
—
0.19
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
g
fs
—
3
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
iss
—
49.5
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
26.5
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1
—
pF
(continued)
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關PDF資料
PDF描述
MRF9030LSR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9060 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060S 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9030LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 30W RF PWR FET NI-360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9030LSR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF9030LSR5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF9030MBR1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF9030MR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*