參數(shù)資料
型號： MRF6VP2600HR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/19頁
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代理商： MRF6VP2600HR6
MRF6VP2600HR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 88--108 MHz
800
20
30
35
85
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 22. Broadband CW Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power — 88--108 MHz
200
100
26
25
24
23
22
65
60
55
50
40
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
29
75
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
110
86
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 23. CW Power Gain and Drain Efficiency
versus Frequency — 88--108 MHz
102
98
94
90
27
26
72
82
80
76
74
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
24.5
24
22.5
22
26.5
25.5
25
78
23.5
23
106
VDD =50 Vdc,IDQ = 150 mA
Gps
ηD
108 MHz
88 MHz
98 MHz
88 MHz
108 MHz
28
27
21
80
70
45
300
400
500 600 700
81
79
75
73
77
VDD =50 Vdc,IDQ = 150 mA
Pout = 600 W, CW
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