參數(shù)資料
型號： MRF6VP2600HR6
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大小： 1438K
代理商： MRF6VP2600HR6
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP2600HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS — TWO--TONE
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
--70
--20
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD =50 Vdc,IDQ = 2600 mA, f1 = 222 MHz
f2 = 228 MHz, Two--Tone Measurements
3rd Order
--30
--40
--50
100
700
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--60
5th Order
5
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
10
--10
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
--30
--40
--50
140
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
Figure 12. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
23.5
26
20
IDQ = 2600 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
25.5
24
100
700
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
25
24.5
2300 mA
VDD = 50 Vdc, f1 = 222 MHz, f2 = 228 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 13. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
--25
--30
--40
--45
--50
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
IM
D,
TH
IRD
O
RDE
R
--20
VDD = 50 Vdc, f1 = 222 MHz, f2 = 228 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
700
20
--60
--20
VDD =50 Vdc,Pout = 500 W (PEP), IDQ = 2600 mA
Two--Tone Measurements
2000 mA
1800 mA
1300 mA
IDQ = 1300 mA
2600 mA
1800 mA
2300 mA
2000 mA
--35
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