參數(shù)資料
型號(hào): MMJT9410T3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA
封裝: PLASTIC, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 73K
代理商: MMJT9410T3
MMJT9410
http://onsemi.com
3
Figure 3. DC Current Gain
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
H
1.0
,DC
CURRENT
GAIN
FE
Figure 4. DC Current Gain
Figure 5. “On” Voltages
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
10
1.0
0.1
0.01
1.0
V
,VOL
TAGE
(V)
Figure 6. “On” Voltages
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
H
1.0
,DC
CURRENT
GAIN
FE
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.1
0.01
1.0
V
,VOL
TAGE
(V)
VCE = 1.0 V
150
°C
25
°C
55
°C
VCE = 4.0 V
150
°C
25
°C
55
°C
IC/IB = 10
VBE(sat)
VCE(sat)
IC/IB = 50
VBE(sat)
VCE(sat)
Figure 7. VBE(on) Voltage
Figure 8. Capacitance
1.0
10
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1.2
0.8
0.4
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
100
0.1
1.0
V
,VOL
TAGE
(V)
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0
1.0
10
1000
100
VCE = 4.0 V
150
°C
25
°C
55
°C
Cob
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MMPQ2222/S62Z 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A/L99Z 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMJT9435T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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