參數(shù)資料
型號： MMDF2N02E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N Channel SO8, Dual(2A,25V,SO-8,N溝道功率雙MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 2安培，25伏特?頻道SO8封裝，雙（第2A，25V的，SO - 8封裝，?溝道功率雙MOSFET的）
文件頁數(shù)： 6/7頁
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代理商： MMDF2N02E
MMDF2N02E
http://onsemi.com
6
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
10
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.01
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
10
0.1
dc
10 ms
1
100
100
Mounted on 2
″
sq. FR4 board (1
″
sq. 2 oz. Cu 0.06
″
thick single sided) with one die operating, 10s max.
100 s10 s
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
A
025
50
75
100
125
120
I pk = 9 A
200
150
280
80
40
160
240
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
t, TIME (s)
R
T
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
10
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to ja at 10s.
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMDF2N02ER2G 功能描述:MOSFET NFET SO8D 25V 3.6A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF2N05ZR2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMDF2N06V 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS MOSFET 3.3 AMPERES 60 VOLTS
MMDF2N06VL 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 60 VOLTS
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