參數(shù)資料
型號： MMDF2C03HD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO8, Dual(2A,30V,SO-8,N/P溝道功率雙MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 2安培，30伏特互補SO8封裝，雙（第2A，30V的，蘇- 8，N / P系列溝道功率雙MOSFET的）
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 116K
代理商： MMDF2C03HD
MMDF2C03HD
http://onsemi.com
9
NChannel
PChannel
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
A
025
50
75
100
125
150
I
D
= 9 A
250
150
350
100
50
200
300
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
A
025
50
75
100
125
150
50
I
D
= 6 A
250
350
100
200
300
150
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
t, TIME (s)
R
T
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
10
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to ja at 10s.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMDF2C03HDR2G 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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