參數(shù)資料
型號： MMBZ33VAL/DG
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： TVS DIODE, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大小： 78K
代理商： MMBZ33VAL/DG
MMBZXVAL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 1 September 2008
7 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVAL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
[1]
In accordance with IEC 61643-321(10/1000
s current waveform).
[2]
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Cd
diode capacitance
f = 1 MHz; VR =0V
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
-
110
140
pF
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
-
85
105
pF
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
-
7090pF
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
-
6580pF
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
-
4860pF
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
-
4555pF
VCL
clamping voltage
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
IPPM = 2.35 A
-
17
V
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
IPPM = 1.9 A
-
21
V
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
IPPM = 1.6 A
-
25
V
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
IPPM = 1.4 A
-
28
V
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
IPPM = 1 A
--40
V
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
IPPM = 0.87 A
-
46
V
SZ
temperature coefcient
IZ =1mA
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
-
8.2
-
mV/K
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
-
11
-
mV/K
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
-
14
-
mV/K
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
-
15.8
-
mV/K
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
-
23
-
mV/K
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
-
29.8
-
mV/K
Table 10.
Characteristics …continued
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ12VAL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ5221BW 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5225BW 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5228BW 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5234BW 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBZ33VALT1 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
MMBZ33VALT1G 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
MMBZ33VALT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode
MMBZ33VALT3 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
MMBZ33VALT3G 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
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