| 型號: | MMBZ33VAL/DG |
| 廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | TVS DIODE, TO-236AB |
| 封裝: | HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商: | MMBZ33VAL/DG |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ12VAL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5221BW | 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5225BW | 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5228BW | 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5234BW | 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ33VALT1 | 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1G | 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
| MMBZ33VALT3 | 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C |
| MMBZ33VALT3G | 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C |