參數(shù)資料
型號(hào)： MMBZ33VAL/DG
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： TVS DIODE, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： MMBZ33VAL/DG
MMBZXVAL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 1 September 2008
4 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVAL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
5.
Limiting values
[1]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000
s current waveform).
[2]
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
[3]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[4]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
[2]
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Table 6.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
PPPM
rated peak pulse power
tp = 10/1000 s
W
IPPM
rated peak pulse current
tp = 10/1000 s
MMBZ12VAL
MMBZ12VAL/DG
-
2.35
A
MMBZ15VAL
MMBZ15VAL/DG
-
1.9
A
MMBZ18VAL
MMBZ18VAL/DG
-
1.6
A
MMBZ20VAL
MMBZ20VAL/DG
-
1.4
A
MMBZ27VAL
MMBZ27VAL/DG
-1
A
MMBZ33VAL
MMBZ33VAL/DG
-
0.87
A
Per device
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
265
mW
360
mW
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
55
+150
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Table 7.
ESD maximum ratings
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
VESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
(contact discharge)
-30
kV
machine model
-
2
kV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ12VAL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ5221BW 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5225BW 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5228BW 3.9 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5234BW 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBZ33VALT1 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
MMBZ33VALT1G 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
MMBZ33VALT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode
MMBZ33VALT3 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
MMBZ33VALT3G 功能描述:TVS二極管陣列 33V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
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