參數(shù)資料
型號: MMBTA56
廠商: RECTRON LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 267K
代理商: MMBTA56
IC, COLLECTOR CURRENT, (mA)
P D
,P
O
W
ER
DI
SS
IP
AT
IO
N,
(W
)
1
0
10
20
30
40
50
10
20
100
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBTA56 )
FIG.8 GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
TEMPERATURE, (OC)
f T
,G
AI
N
BA
ND
W
ID
TH
PR
O
DU
CT
,(
M
Hz
)
0
0.75
0.5
0.25
1
100
125
25
50
75
150
FIG.9 POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
VCE, COLLECTOR VOLTAGE, (V)
CA
PA
CI
TA
NC
E,
(p
F)
0.1
100
1
10
FIG.7 INPUT AND OUTPUT CAPACITANCE
vs. REVERSE VOLTAGE
f =1.0MHz
Cib
Cob
VCE= 5V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA56-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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